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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Compara
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
36
En 14% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
36
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1990
2814
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
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Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
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