RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Compara
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Puntuación global
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Puntuación global
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
68
En -134% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
1,944.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,973.0
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,944.9
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
673
3395
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link