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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
总分
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
68
左右 -134% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,944.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
29
读取速度,GB/s
3,973.0
17.3
写入速度,GB/s
1,944.9
14.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
673
3395
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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