RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Compara
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Kingston XN205T-MIE 16GB
Puntuación global
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Puntuación global
Kingston XN205T-MIE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston XN205T-MIE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
68
En -119% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
1,944.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,973.0
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,944.9
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
673
3522
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link