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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Compara
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Puntuación global
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Puntuación global
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
68
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
1,944.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,973.0
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,944.9
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
673
2927
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
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