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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
17.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
46
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
27
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
3386
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
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