RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
46
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
27
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
17.8
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3386
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link