RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.5
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.7
11.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
24
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
12.7
Скорость записи, Гб/сек
8.5
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
2256
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link