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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
46
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.9
5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
41
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
8.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
2126
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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