RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
46
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
35
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
3191
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link