RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
46
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
1,852.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
35
Velocità di lettura, GB/s
5,535.6
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,852.4
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
858
3191
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Confronto tra le RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link