RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
11
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
46
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
31
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
2271
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link