RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
16.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
46
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
6400
En 3.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
30
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
23400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
2761
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link