takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

-->

Средняя оценка

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

5 16.3

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 46

Около -53% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.2 1,852.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

23400 6400

Около 3.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 30
Скорость чтения, Гб/сек

5,535.6 16.3
Скорость записи, Гб/сек

1,852.4 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 23400

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

858 2761

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB

Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB

Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB

G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB

Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Kingston KCDT82-MIE 4GB

Kingston KCDT82-MIE 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

V-GEN D4H16GS24A8 16GB

V-GEN D4H16GS24A8 16GB

модули RAM