RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
50
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
3415
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link