RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
50
En -108% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
2865
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link