RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
50
En -163% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
19
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
3665
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link