RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
50
En -72% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
3597
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link