RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
50
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
2706
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link