RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
50
En -163% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.9
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
19
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
17.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
3862
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
INTENSO 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link