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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
21.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
50
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
21.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
3684
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
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