RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
23.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
50
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.4
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
23.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
19.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
4380
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Inmos + 256MB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Informar de un error
×
Bug description
Source link