RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
50
En -108% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
2729
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link