RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
50
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
2969
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Team Group Inc. 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link