RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Compara
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Puntuación global
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Puntuación global
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
47
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.9
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
47
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2028
2308
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5402-052.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G4M1 4GB
Crucial Technology CT51264BC1339.M16F 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link