RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сравнить
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB против Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
47
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.9
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
7.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
47
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
10.0
Скорость записи, Гб/сек
7.7
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2028
2308
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5402-052.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link