RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Compara
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Puntuación global
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
39
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2376
2417
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link