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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
76
87
En -14% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
76
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
1718
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
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