RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
76
87
Por volta de -14% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
76
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
7.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
1718
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link