RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
12.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
87
En -248% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3023
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link