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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
87
En -164% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
2553
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
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