RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
17.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
87
En -235% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
4024
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link