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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
23.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
19.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
87
En -235% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
23.1
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
19.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
4276
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
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