RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
23.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
19.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
87
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
23.1
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
19.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
4276
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link