RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
12.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
87
En -135% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
37
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
2808
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link