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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
11.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
87
En -129% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
2821
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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