RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
9.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
87
En -211% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
2347
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kllisre 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link