TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Wynik ogólny

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Wynik ogólny

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

3 12

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

870.4 9.1

Średnia wartość w badaniach

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Powody do rozważenia
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 87

Wokół strony -211% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 5300

Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR2 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

87 28
Prędkość odczytu, GB/s

3,155.6 12.0
Prędkość zapisu, GB/s

870.4 9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps

5300 17000

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

417 2347

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

JUHOR JHD3000U1908JG 8GB

JUHOR JHD3000U1908JG 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB

Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB

Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB

Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston 9905700-053.A00G 8GB

Kingston 9905700-053.A00G 8GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB

Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB