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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
87
En -190% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3026
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
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Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
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