RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
87
Около -190% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
870.4
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3026
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R744G2606U1S 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link