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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
12.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
87
En -263% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
2852
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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