RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
29
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
24
Velocidad de lectura, GB/s
16.9
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2601
2852
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link