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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
29
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
24
Velocidade de leitura, GB/s
16.9
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
12.1
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2601
2852
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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