RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
29
Autour de -21% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
24
Vitesse de lecture, GB/s
16.9
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2601
2852
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link