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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
9.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
87
En -181% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
2060
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
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Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
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