RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
87
En -211% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3465
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link