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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
87
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
28
读取速度,GB/s
3,155.6
18.8
写入速度,GB/s
870.4
15.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3465
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
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