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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
12.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
28
读取速度,GB/s
16.9
18.8
写入速度,GB/s
12.0
15.6
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3465
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
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