RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
53
En -77% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
3462
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link