RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
104
En -247% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3462
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link